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MMBT3906L中文资料

MMBT3906L图片

MMBT3906L外观图

  • 大小：104.76KB
  • 厂家：ONSEMI
  • 描述：ON Semiconductor [General Purpose Transistor(NPN Silicon)]
  • 现有数量：0现货
  • 价格：18,000 : ￥0.20333卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：在售
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大值：350 mW
  • 频率 - 跃迁：250MHz
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23

MMBT3906L供应商

更新时间:2023-01-02 01:03:07
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